击穿电压高是容易击穿还是难击穿？

一、击穿电压高是容易击穿还是难击穿？

击穿电压高是难以击穿，说明这种电器的耐压特性优良，这是我们使用人员希望达到的。而容易击穿则说明这种电器的绝缘性能不好，容易被击穿损坏。而大多数电器，击穿就是永久性的损坏了，需要换新的了。当然有的器件有击穿自愈功能，象金属膜电容器，击穿后金属膜会挥发，电容会自愈，仍可使用。

二、pn结击穿属于什么击穿？

pn结击穿属于雪崩击穿和齐纳击穿。

原因：二极管内部存在PN结，在测量其特性时，如果加在PN结上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增加，这就是反向击穿，其原因是：

①雪崩击穿

当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。产生漂移运动的少数载流子通过空间电荷区时，在很强的电场作用下获得足够的动能，与晶体原子发生碰撞，从而打破共价键的束缚，形成更多的自由电子—空穴对，这种现象称为碰撞电离，新产生的电子和空穴在强电场作用下，和原来的一样，继续碰撞电离，再产生自由电子—空穴对，这是载流子的倍增效应。当反向电压增大到一定程度时，载流子的倍增情况就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，于是PN结被击穿，此为雪崩击穿。

②齐纳击穿

在加有较高的反向电压时，PN结空间电荷区存在一个很强的电场，它可以破坏共价键的束缚，使原子分离，形成自由电子—空穴对，在电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，从而形成较大的反向电流，这种击穿现象叫做齐纳击穿。

三、什么叫击穿？击穿分几种？

有两种，雪崩击穿和齐纳击穿

雪崩击穿：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增，PN结就发生雪崩击穿。

齐纳击穿：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏共价键，将束缚电子分离出来产生电子–空穴对，形成较大的反向电流。发生齐纳击穿需要的电场强度约为2×105V/cm，这只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到。因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因而空间电荷区很窄，电场强度可能很高。

四、何为反向击穿?电流击穿和热击穿有何区别?

反向击穿，是器件在受到的反向电压超过了它的耐压极限时发生的器件毁坏，"击穿"意味着其失去了应有的阻值，内部短路，会影响电路正常运行。如二极管的反向电压参数就是防止其损坏的。电流击穿是器件受到超载荷电流使其损坏。热击穿是超出器件材料能承受的热量或环境温度过高，造成器件损坏。

五、电脑芯片击穿

探讨电脑芯片击穿的影响

近年来，关于电脑芯片击穿的话题备受关注。这一现象对计算机和信息技术行业产生了巨大影响，引起了业内人士的热烈讨论。本文将就电脑芯片击穿的概念、原因以及可能的解决方案展开深入探讨。

什么是电脑芯片击穿？

电脑芯片击穿是指在电子设备中发生的一种危险现象，即由于外部电压、电流等因素过高，导致芯片内部的重要元件（例如晶体管）失效，进而影响设备的正常运行。这种击穿现象可能会引发设备故障、数据丢失甚至损坏硬件的风险。

电脑芯片击穿的原因

电脑芯片击穿的发生通常是由于以下几个主要原因造成的：

• 1. 过电压： 外部电压超过了芯片承受范围，造成内部元件击穿。
• 2. 过电流： 过高的电流导致芯片内部部件无法正常工作，从而引发击穿现象。
• 3. 静电放电： 静电在操作过程中积累过多，一旦放电到芯片，可能导致击穿。
• 4. 温度过高： 高温环境下芯片可能承受不住电压和电流的冲击，容易发生击穿。

电脑芯片击穿的影响

电脑芯片击穿的影响不仅限于硬件损坏或设备故障，还可能对用户数据和信息安全造成威胁。一旦芯片击穿，可能导致数据丢失、泄露或被篡改，给个人和机构带来严重损失。

解决电脑芯片击穿的方案

为有效应对电脑芯片击穿问题，以下是一些可能的解决方案：

• 1. 电压、电流保护： 设计合理的电路保护装置，防止外部过电压、过电流对芯片造成损害。
• 2. 静电防护： 在设备制造和操作中采取静电防护措施，减少静电对芯片的影响。
• 3. 散热设计： 优化散热系统，确保芯片在正常温度范围内运行，减少温度对芯片的不良影响。
• 4. 数据备份： 定期进行数据备份，以防止芯片击穿导致数据损失，保障数据安全。

通过以上措施的综合应用，可以有效降低电脑芯片击穿的风险，保障设备和数据的安全稳定运行。

六、二极管如何导电？什么是雪崩击穿和齐纳击穿？

当外电场电子来到pn结的时候，自由电子因为内电场的电场力，能够顺利来到p区导电吗？

外电场电子这个说法有点指代不明。如果是指N区的电子，那么可以说明电子是可以跨过耗尽区进入P区导电的，虽然电子在耗尽区逆电场运动，但是别忘了电子还会扩散运动，P区电子实在是太少了以至于电子可以跨越这层耗尽区的电场，知道平衡。

即使来到了p区，它不会和p区的空穴结合吗？

电子当然会和P区空穴结合，事实上电子在这里的运动是边扩散边复合的向前运动，在计算PN结电流的时候分析这部分的电子浓度是重中之重！！

那么它又是如何削弱电场的呢？

在分析PN结的时候我们会用到一个叫做“耗尽区近似”的模型，在这个模型下外加电场是完完全全加在耗尽区的，又因为正偏时候外加电场是和内建场相反的，所以外加电场会削弱内建场让更多的电子穿过耗尽区。

那么外电场的自由电子来到p区之后不会和p区的空穴结合吗？电子能够顺利的到耗尽层吗？

电子难道不是先经过耗尽区才进入的P区吗？在耗尽区有大量共价键束缚着的电子，如果把这些电子撞出来，就会生成一对电子空穴对，然后这对电子和空穴会快速的被内建电场分别向两边拉，当然当速度过快的时候，就会发生雪崩效应。

齐纳击穿耗尽层窄，掺杂浓度高，它又是一个怎样的击穿过程？

齐纳击穿是比较难以理解，我配下面的一幅图来帮助理解。这种击穿是因为量子力学里面的隧穿效应导致的。简单理解就是两条线太近了，就直接穿过去了，此时势垒失去了阻挡电子的作用，发生了击穿。

问题提的很棒。加油，继续学习！

七、晶闸管电压击穿与电流击穿现象？

1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

 

　　2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。

 

　　3电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。

 

　　4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

 

八、LED的反向击穿属于什么击穿类型？

LED的反向击穿输入雪崩击穿，材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。

在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对。

新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。

如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。

九、如何区别齐纳击穿和雪崩击穿？

答案如下:

          一、性质不同

         1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。

         2、齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

        二、特点不同

      1、雪崩击穿特点：材料掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，获得的能量在电场作用下增加。

      2、齐纳击穿特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，在碰撞电离机理中，不仅与场强有关，而且与载流子碰撞的累积过程有关。显然，空间电荷区域越宽，它的倍数就越大。因此，雪崩击穿不仅与电场有关，还与空间电荷区的宽度有关。它要求结厚。而隧道效应要求结薄。

十、击穿场强与击穿电压的区别？

使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。

在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的最低临界电压称为击穿电压，在均匀电场中，击穿电压与固体电介质厚度之比称为击穿电场强度，它反映固体电介质自身的耐电强度。

不均匀电场中，击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强，它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。